Feldeffekttransistor
EP2416365
Art A1
8. Februar 2012
Anmelder: National University Corporation Hokkaido University, Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2416365
- Aktenzeichen
- EP10758297
- Anmeldetag
- 1. April 2010
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/786H01L21/336H01L21/8238H01L29/165H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National University Corporation Hokkaido University
Tohoku University - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National University Corporation Hokkaido University
Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.
882 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
837 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
SSM Sandmair
SSM Sandmair · München
-
Schwabe - Sandmair - Marx
Schwabe - Sandmair - Marx · München