Verfahren zur Herstellung eines Integrierten Passiven Bauelements mit Mim-Kondensator und Hochpräzisionswiderstand auf der Oberseite
EP2422358
Art A1
29. Februar 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2422358
- Aktenzeichen
- EP10717275
- Anmeldetag
- 14. April 2010
- Veröffentlichung
- 29. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L27/01H01L27/02H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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