Strukturierung eines Gatestapels eines nichtflüchtigen Speichers mit simultaner Ätzung im nichtflüchtigen Speicherbereich
EP2423952
Art B1
10. Oktober 2018
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2423952
- Aktenzeichen
- EP11176611
- Anmeldetag
- 4. August 2011
- Veröffentlichung
- 10. Oktober 2018
- Erteilung
- 10. Oktober 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/423H01L29/788H01L27/115H01L27/11534H01L27/11546
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pomper, Till
Toulouse, Frankreich
285
Patente gesamt
14
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke