Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Graben-Gate
EP2432023
Art B1
12. November 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2432023
- Aktenzeichen
- EP10178090
- Anmeldetag
- 21. September 2010
- Veröffentlichung
- 12. November 2014
- Erteilung
- 12. November 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L29/423// H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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