Kompatibler Vertikaler Halbleitertransistor aus Doppelt Diffundiertem Metalloxid und Seiten-Halbleitertransistor aus Doppelt Diffundiertem Metalloxid sowie Herstellungsverfahren dafür

EP2437288 Art A1 4. April 2012

Anmelder: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2437288
Aktenzeichen: EP10826075
Anmeldetag: 26. Oktober 2010
Veröffentlichung: 4. April 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/088H01L21/8234// H01L29/78H01L21/8249H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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