Kombinierte nichtflüchtige EEPROM-/Flash-Speicherschaltung

EP2439745 Art B1 19. Juni 2019

Anmelder: SK hynix Inc., NXP B.V. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2439745
Aktenzeichen
EP11183824
Anmeldetag
4. Oktober 2011
Veröffentlichung
19. Juni 2019
Erteilung
19. Juni 2019
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/04G11C16/08G11C16/14
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
SK hynix Inc.
NXP B.V.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

59 Patente in unserer Datenbank

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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