Kombinierte nichtflüchtige EEPROM-/Flash-Speicherschaltung
EP2439745
Art B1
19. Juni 2019
Anmelder: SK hynix Inc., NXP B.V. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2439745
- Aktenzeichen
- EP11183824
- Anmeldetag
- 4. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2019
- Erteilung
- 19. Juni 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/04G11C16/08G11C16/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SK hynix Inc.
NXP B.V. - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
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🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Dilg, Haeusler, Schindelmann Patentanwaltsgesellschaft mbH
Dilg, Haeusler, Schindelmann Patentanwaltsgesellschaft mbH · München