Halbleiterbauelemente für drahtlose Kommunikation
EP2450835
Art B1
9. Januar 2019
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2450835
- Aktenzeichen
- EP11184179
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2019
- Erteilung
- 9. Januar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06K19/07H01L27/02H01L27/088H01L27/092G06K7/10H03K17/06H03K17/14H03K17/60H03K17/687
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
31
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München
-
Calderbank, Thomas Roger
NoneLondon