Mos-Gate-Bipolartransistoren mit Breitem Bandabstand, Hoher Durchschlagsspannung und Lawinenkapazität

EP2454756 Art B1 20. Juni 2018

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2454756
Aktenzeichen
EP10720223
Anmeldetag
12. Mai 2010
Veröffentlichung
20. Juni 2018
Erteilung
20. Juni 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/739H01L29/24
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Cree, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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