Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Heteroübergangstransistors und integrierte Schaltung mit einem bipolaren Heteroübergangstransistor
EP2458624
Art A1
30. Mai 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2458624
- Aktenzeichen
- EP10192804
- Anmeldetag
- 26. November 2010
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/08H01L29/737
Abstract
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Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Murgitroyd wurde 1975 in Glasgow als Einzelpraxis gegründet, ging 2001 an die Londoner Börse und zählt zu Europas am schnellsten wachsenden IP-Kanzleien, mit Standorten von Großbritannien und Irland bis München, Mailand, Helsinki und dem Silicon Valley.
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