Bipolarer Transistor mit von dem Emitter isolierten Basisgrabenkontakten
EP2458639
Art A1
30. Mai 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2458639
- Aktenzeichen
- EP10192618
- Anmeldetag
- 25. November 2010
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/732H01L29/06H01L29/10H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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