Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Transistors und vertikaler Transistor
EP2472573
Art A1
4. Juli 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2472573
- Aktenzeichen
- EP11150120
- Anmeldetag
- 4. Januar 2011
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L29/40// H01L29/423H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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