Leistungseffiziente Spektrumsformung für eine Magnetverbindung
EP2472720
Art B1
28. März 2018
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2472720
- Aktenzeichen
- EP12150085
- Anmeldetag
- 3. Januar 2012
- Veröffentlichung
- 28. März 2018
- Erteilung
- 28. März 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F3/191H03F3/217H03C1/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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