Verfahren zur Formung einer Dielektrischen Dünnschicht und Dünnschichtkondensator mit der Dielektrischen Dünnschicht
EP2474505
Art B1
27. Juli 2016
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2474505
- Aktenzeichen
- EP10813781
- Anmeldetag
- 2. September 2010
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2016
- Erteilung
- 27. Juli 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/468C04B35/47C04B35/624H01G4/33H01G7/06H01L49/02C01G23/00H01G4/12H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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