Verfahren zur Erzeugung von Photolackstrukturen

EP2482132 Art B1 16. Oktober 2019

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2482132
Aktenzeichen
EP12153137
Anmeldetag
30. Januar 2012
Veröffentlichung
16. Oktober 2019
Erteilung
16. Oktober 2019
Rechtsraum
EP
IPC
G03F7/039
Offizieller Volltext

Abstract

A resist pattern is formed by coating a chemically amplified positive resist composition onto a substrate and prebaking to form a resist film, exposing to high-energy radiation, baking and developing with a developer to form a resist pattern, and heating the pattern for profile correction to such an extent that the line width may not undergo a change of at least 10%. An amount of a softening accelerator having a molecular weight of up to 800 is added to the resist composition comprising (A) a base resin, (B) an acid generator, (C) a nitrogen-containing compound, and (D) an organic solvent.

Anmelder

Firma
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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