Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle mit reversiblem, selektiv abgelagertem Widerstandsschaltelement
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3D LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2485258
- Aktenzeichen
- EP12166461
- Anmeldetag
- 27. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 26. März 2014
- Erteilung
- 26. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/10H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Sandisk 3D LLC - Land
- 🇺🇸 USA
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
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Fachgebiete
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