Verfahren zum Erstellen eines Netzes aus nanometrischen Kontakten
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Centre National de la Recherche Scientifique, Université Joseph Fourier, Universite Joseph Fourier 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2487708
- Aktenzeichen
- EP12154295
- Anmeldetag
- 7. Februar 2012
- Veröffentlichung
- 8. Juli 2015
- Erteilung
- 8. Juli 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/423H01L29/788
Abstract
The method involves depositing a silicon layer on a substrate that is formed of a base substrate or a P-type upper layer (100) mounted in a silicon oxide layer (132). A self-organized layer is formed above the silicon layer. Patterns are formed in the self-organized layer and in a neutralization layer. A hard mask e.g. aluminum cylindrical pattern, is formed by transfer of the patterns and by depositing a masking layer in the patterns. Silicon terminals are obtained in the silicon layer by etching with the hard mask. The silicon terminals are siliconized by depositing a metal layer.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Centre National de la Recherche Scientifique
Université Joseph Fourier
Universite Joseph Fourier - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
7.382 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Hautier IP wurde 1892 gegründet und zählt zu den traditionsreichsten französischen Kanzleien für gewerblichen Rechtsschutz, mit Büros in Grenoble, Nizza, Paris, Marseille und Monaco. Mit strategisch-wirtschaftlichem Ansatz begleitet sie Mandanten bis zum Einheitspatent und gewährt über ihr Programm „Green“ Nachlässe für umweltorientierte Unternehmen.