Spannungsdetektionsschaltung

EP2490030 Art A3 1. April 2015

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, Semiconductor Technology Academic Research Center, The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2490030
Aktenzeichen
EP12155183
Anmeldetag
13. Februar 2012
Veröffentlichung
1. April 2015
Rechtsraum
EP
IPC
G01R19/165
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Renesas Electronics Corporation
Semiconductor Technology Academic Research Center
The University of Tokyo
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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