Verfahren und Schaltung zur Steuerung einer Gate-Source-Spannung eines Schutz-MOSFET mit Polaritätsumkehr

EP2490316 Art B1 30. Oktober 2013

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2490316
Aktenzeichen: EP11154946
Anmeldetag: 18. Februar 2011
Veröffentlichung: 30. Oktober 2013
Erteilung: 30. Oktober 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H02J7/00H02H11/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik

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