Halbleiterwafer mit Abrisslinienausrichtungsmarkierungen zur Verminderung der Bruchausbreitung
EP2491580
Art A2
29. August 2012
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2491580
- Aktenzeichen
- EP10825377
- Anmeldetag
- 21. September 2010
- Veröffentlichung
- 29. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/301H01L23/544
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Potts, Susan Patricia
Basingstoke, Großbritannien
180
Patente gesamt
16
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse