Ätzverfahren für Halbleiter

EP2499663 Art A2 19. September 2012

Anmelder: 3M Innovative Properties Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2499663
Aktenzeichen: EP10828972
Anmeldetag: 2. November 2010
Veröffentlichung: 19. September 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3065H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: 3M Innovative Properties Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 3M Innovative Properties

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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