Verfahren zur Anisotropen Ätzung von Halbleitern

EP2499664 Art A2 19. September 2012

Anmelder: 3M Innovative Properties Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2499664
Aktenzeichen: EP10829136
Anmeldetag: 5. November 2010
Veröffentlichung: 19. September 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: 3M Innovative Properties Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 3M Innovative Properties

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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