III-Nitrid-Transistor mit passivem Schwingungsschutz
Anmelder: Infineon Technologies Americas Corp., International Rectifier Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2503694
- Aktenzeichen
- EP12159797
- Anmeldetag
- 16. März 2012
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/567H03K17/74H03K17/16
Abstract
There are disclosed herein various implementations of semiconductor devices having passive oscillation control. In one exemplary implementation, such a device (400) is implemented to include a III-nitride transistor (410) having a source electrode (402), a gate electrode (408) and a drain electrode (404). A damping resistor (470) is configured to provide the passive oscillation control for the III-nitride transistor. In one implementation, the damping resistor includes at least one lumped resistor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies Americas Corp.
International Rectifier Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.
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