Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für eine Organische Halbleitervorrichtung sowie Kontaktstruktur für eine Organische Halbleitervorrichtung
EP2506292
Art A1
3. Oktober 2012
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2506292
- Aktenzeichen
- EP10833311
- Anmeldetag
- 26. November 2010
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L27/28H01L29/786H01L33/02H01L51/05H01L51/42H01L51/50H01L51/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
828 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Isarpatent
Isarpatent · München