Übertemperaturgeschützter Triac und Schutzverfahren
EP2506435
Art B1
18. Mai 2016
Anmelder: WeEn Semiconductors Co., Ltd., NXP B.V. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2506435
- Aktenzeichen
- EP11160706
- Anmeldetag
- 31. März 2011
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2016
- Erteilung
- 18. Mai 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/725
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- WeEn Semiconductors Co., Ltd.
NXP B.V. - Land
- 🇨🇳 China
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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