Verfahren zur Herstellung eines HEMT-Transistors und entsprechender HEMT-Transistor
EP2511949
Art A1
17. Oktober 2012
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2511949
- Aktenzeichen
- EP12163950
- Anmeldetag
- 12. April 2012
- Veröffentlichung
- 17. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.r.l.
- Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Kanzlei
Botti & Ferrari S.p.A
Milano, Italien
Botti & Ferrari wurde 1999 von Fachleuten mit Erfahrung in internationalen IP-Kanzleien gegründet, heute mit Büros in Mailand, Bologna und Brescia, rund die Hälfte der Mandate aus dem Ausland. Anwälte regelmäßig in Einspruchsverfahren vor dem Europäischen Patentamt tätig.
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