Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschicht, Verfahren zur Herstellung eines Photoelektrischen Wandlers sowie Lösung zur Formung der Halbleiterschicht

EP2515346 Art A1 24. Oktober 2012

Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2515346
Aktenzeichen: EP10837670
Anmeldetag: 16. Dezember 2010
Veröffentlichung: 24. Oktober 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/04H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kyocera Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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