Herstellungsverfahren eines Gehäuses eines auf einer Kaskodenschaltung mit einem III-Nitrid-Bauelement basierenden Hochspannung-Gleichrichters mit geätztem Leiterrahmen

EP2521172 Art B1 20. November 2019

Anmelder: Infineon Technologies Americas Corp., International Rectifier Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2521172
Aktenzeichen: EP12163618
Anmeldetag: 10. April 2012
Veröffentlichung: 20. November 2019
Erteilung: 20. November 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/433H01L23/495H03K17/567H03K17/687H03K17/74// H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Infineon Technologies Americas Corp.
International Rectifier Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 International Rectifier

International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.

427 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von