In-Ga-O-Oxid-Sinterkörper, Ziel, Oxidhalbleiterdünnschicht und Herstellungsverfahren dafür

EP2524905 Art A1 21. November 2012

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2524905
Aktenzeichen: EP11732812
Anmeldetag: 14. Januar 2011
Veröffentlichung: 21. November 2012
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/00C23C14/08C23C14/34H01L21/203

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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