Nitrid-Halbleiterbauelement, Nitrid-Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung einer Nitrid-Halbleiterschicht
EP2525407
Art B1
25. Oktober 2017
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2525407
- Aktenzeichen
- EP12152936
- Anmeldetag
- 27. Januar 2012
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2017
- Erteilung
- 25. Oktober 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/12H01L21/02H01L33/32H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Kanzlei
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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Weitere Vertreter
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Granleese, Rhian Jane
Marks & Clerk LLP · London