Graphenbasierter Transistor mit Kollektorsperrschicht mit gradierter Zusammensetzung

EP2525409 Art B1 11. Mai 2016

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2525409
Aktenzeichen: EP11190486
Anmeldetag: 24. November 2011
Veröffentlichung: 11. Mai 2016
Erteilung: 11. Mai 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L29/76H01L29/16H01L29/10H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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