Verfahren zur Herstellung einer Diode mit Vertikaler Struktur

EP2528112 Art B1 1. März 2017

Anmelder: LG Innotek Co., Ltd., LG Innotek Co., LTD., LG Electronics, Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2528112
Aktenzeichen: EP12177336
Anmeldetag: 21. Oktober 2002
Veröffentlichung: 1. März 2017
Erteilung: 1. März 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00// H01L33/32H01L33/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: LG Innotek Co., Ltd.
LG Innotek Co., LTD.
LG Electronics, Inc.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 LG Innotek

Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.

4.233 Patente in unserer Datenbank

🇰🇷 LG Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern der LG-Gruppe. Entwickelt und produziert Haushaltsgeräte, Fernseher, Klimaanlagen, Mobilgeräte sowie Komponenten für Fahrzeuge und Kommunikationstechnik.

16.295 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von