Mems-Bauelemente mit Membran und deren Herstellungsverfahren
EP2535310
Art B1
24. August 2022
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2535310
- Aktenzeichen
- EP12172194
- Anmeldetag
- 15. Juni 2012
- Veröffentlichung
- 24. August 2022
- Erteilung
- 24. August 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81B3/00H04R19/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Kanzlei
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler
München, Deutschland
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler, Zinkler, Schenk & Partner mbB berät von München aus Unternehmen und Forschungseinrichtungen aus aller Welt, mit technischem Schwerpunkt auf Audio- und Videokodierung, Mobilfunk, künstlicher Intelligenz und Halbleitertechnik.
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