Schottkydiode mit Heteroübergangsperrgebieten und Herstellungsverfahren dafür

EP2545587 Art B1 2. Mai 2018

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2545587
Aktenzeichen
EP11753868
Anmeldetag
7. März 2011
Veröffentlichung
2. Mai 2018
Erteilung
2. Mai 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/872H01L21/329H01L29/06H01L29/165// H01L29/47
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Cree, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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