Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit einem bipolaren Transistor und integrierte Schaltung
EP2565911
Art B1
20. August 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2565911
- Aktenzeichen
- EP11179935
- Anmeldetag
- 2. September 2011
- Veröffentlichung
- 20. August 2014
- Erteilung
- 20. August 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/737H01L21/8249
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank