Schaltung zur Charakterisierung der Ungleichheit von MOSFETs
EP2565915
Art B1
7. Oktober 2020
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2565915
- Aktenzeichen
- EP12179305
- Anmeldetag
- 3. August 2012
- Veröffentlichung
- 7. Oktober 2020
- Erteilung
- 7. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66// H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Bradler, Carola Romana
NXP Semiconductors Germany GmbH · Hamburg
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse