Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2571052
Art A1
20. März 2013
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2571052
- Aktenzeichen
- EP10851389
- Anmeldetag
- 12. Mai 2010
- Veröffentlichung
- 20. März 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/00H01L23/495H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Calderbank, Thomas Roger
London, Großbritannien
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Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München