Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2579314
Art A3
26. Juni 2013
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2579314
- Aktenzeichen
- EP12186702
- Anmeldetag
- 28. September 2012
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/792H01L27/115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Calderbank, Thomas Roger
London, Großbritannien
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Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München