Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit dualer Austrittsarbeit

EP2584601 Art B1 19. August 2015

Anmelder: IMEC, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Katholieke Universiteit Leuven K.U. Leuven R&D 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2584601
Aktenzeichen
EP13152000
Anmeldetag
25. Februar 2009
Veröffentlichung
19. August 2015
Erteilung
19. August 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8234H01L21/8238
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
IMEC
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
Katholieke Universiteit Leuven K.U. Leuven R&D
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

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