Dreidimensionaler Speicher und Verfahren zur Ausbildung davon

EP2586060 Art B1 27. April 2022

Anmelder: Micron Technology, Inc., Micron Technology, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2586060
Aktenzeichen
EP11807258
Anmeldetag
24. Juni 2011
Veröffentlichung
27. April 2022
Erteilung
27. April 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/11556H01L27/11551H01L27/11582H01L27/11578H01L27/11548H01L27/11575H01L29/788H01L29/792H01L21/28H01L21/336H01L29/66H01L27/06H01L27/24// H01L45/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Micron Technology, Inc.
Micron Technology, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Kanzlei
Marks & Clerk LLP

Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.

37.082
Patente gesamt
30
Patentanwälte
8
Standorte
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen