Verfahren zur Herstellung eines Saphirsubstrats und Wachstum eines Lichtemittierendes Nitrid-Halbleiterelements

EP2587556 Art B1 2. Mai 2018

Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2587556
Aktenzeichen
EP11800705
Anmeldetag
23. Juni 2011
Veröffentlichung
2. Mai 2018
Erteilung
2. Mai 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/32H01L21/20C30B29/40C30B29/60C30B25/18H01L33/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nichia Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nichia

Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.

967 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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