GaN Hochspannungs-HFET mit Passivierungs- und Gatedielektrikums-Mehrschichtstruktur
Anmelder: Power Integrations, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2600404
- Aktenzeichen
- EP12193415
- Anmeldetag
- 20. November 2012
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/51H01L23/29H01L21/336H01L21/28// H01L23/31H01L29/20H01L29/423
Abstract
A method of fabricating a multi-layer structure for a power transistor device includes exposing, within a reaction chamber, a top surface of a nitride-based active semiconductor layer to a first source, and performing, within the reaction chamber, a nitrogen plasma strike, resulting in the formation of a nitride layer (142) directly on the nitride-based active semiconductor layer. A top surface of the nitride layer is then exposed to a second source. A subsequent nitrogen-oxygen plasma strike results in the formation of an oxy-nitride layer (145) directly on the nitride layer. The nitride layer comprises a passivation layer and the oxy-nitride layer comprises a gate dielectric of the power transistor device. <img class="EMIRef" id="144869947-iaf01" />
Anmelder
- Firma
- Power Integrations, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
Power Integrations ist ein US-amerikanisches Unternehmen für Halbleiterlösungen in der Leistungselektronik. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf elektrische Energietechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik und Schaltungstechnik. Anmeldungen laufen durchgehend seit dem Jahr 2000.
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Fachgebiete
Fish & Richardson wurde 1878 in Boston gegründet, eine der ältesten IP-Kanzleien der USA, vertrat einst Alexander Graham Bell und Thomas Edison. Münchner Standort direkt am Sitz von EPA, Deutschem Patent- und Markenamt sowie Bundespatentgericht, auch vor dem Einheitlichen Patentgericht.
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