Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2607525
- Aktenzeichen
- EP12196076
- Anmeldetag
- 7. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 13. August 2014
- Erteilung
- 13. August 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B13/20C30B13/30
Abstract
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Zonenziehen, wobei der Einkristall mit Unterstützung einer Induktionsheizspule unter einer Schmelzenzone an einer Kristallisationsgrenze kristallisiert, und das Abstrahlen von Kristallisationswärme durch einen den Einkristall umgebenden Reflektor behindert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Einkristall im Bereich eines äußeren Rands der Kristallisationsgrenze mittels einer Heizeinrichtung in einer ersten Zone erhitzt wird, wobei ein Abstand ” zwischen einem äußeren Tripelpunkt T a am äußeren Rand der Kristallisationsgrenze und einem Zentrum Z der Kristallisationsgrenze beeinflusst wird.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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