Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls

EP2607525 Art B1 13. August 2014

Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2607525
Aktenzeichen
EP12196076
Anmeldetag
7. Dezember 2012
Veröffentlichung
13. August 2014
Erteilung
13. August 2014
Rechtsraum
EP
IPC
C30B13/20C30B13/30
Offizieller Volltext

Abstract

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Zonenziehen, wobei der Einkristall mit Unterstützung einer Induktionsheizspule unter einer Schmelzenzone an einer Kristallisationsgrenze kristallisiert, und das Abstrahlen von Kristallisationswärme durch einen den Einkristall umgebenden Reflektor behindert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Einkristall im Bereich eines äußeren Rands der Kristallisationsgrenze mittels einer Heizeinrichtung in einer ersten Zone erhitzt wird, wobei ein Abstand ” zwischen einem äußeren Tripelpunkt T a am äußeren Rand der Kristallisationsgrenze und einem Zentrum Z der Kristallisationsgrenze beeinflusst wird.

Anmelder

Firma
Siltronic AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

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