Transistor des Typs P mit Graphen-Basis

EP2608267 Art B1 27. Februar 2019

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2608267
Aktenzeichen: EP12159996
Anmeldetag: 16. März 2012
Veröffentlichung: 27. Februar 2019
Erteilung: 27. Februar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/76H01L29/165H01L29/16// H01L29/40H01L29/267

Offizieller Volltext

Abstract

A hot hole transistor with a graphene base comprises on a substrate an emitter layer, a collector layer, and a base layer that comprises a graphene layer, wherein an emitter barrier layer is arranged between the base layer and the emitter layer, and a collector barrier layer is arranged between the base and the collector layers and adjacent to the graphene layer.

Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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