Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Substrats für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
EP2610898
Art B1
25. November 2020
Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2610898
- Aktenzeichen
- EP11819859
- Anmeldetag
- 19. August 2011
- Veröffentlichung
- 25. November 2020
- Erteilung
- 25. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/336H01L21/02// H01L29/20H01L29/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK Insulators, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
3.021 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Naylor, Matthew John
London, Großbritannien
1.221
Patente gesamt
34
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München