Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Speicherzelle mit Doppel-Gate

EP2613343 Art B1 28. August 2019

Anmelder: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2613343
Aktenzeichen
EP13150310
Anmeldetag
4. Januar 2013
Veröffentlichung
28. August 2019
Erteilung
28. August 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L29/423H01L29/66H01L29/792// H01L27/115
Offizieller Volltext

Abstract

The method involves performing chemical mechanical polishing (CMP) so as to remove a top portion of a relief region of a gate (130) of a control transistor of a double-gate non-volatile memory cell (100), a semiconductor layer and a portion of another semiconductor layer. The former semiconductor layer remaining on both sides of the relief region is removed. The to-be-removed latter semiconductor layer is etched, so that the latter semiconductor layer remains above the relief region and forms a pattern on the relief region. An independent claim is also included for a double-gate non-volatile memory cell.

Anmelder

Firmen
COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.

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