Mikroelektronische Strukturen mit Kupferoxidhalbleitern und mit Verbesserten P-N-Heteroübergängen
EP2622642
Art A2
7. August 2013
Anmelder: California Institute of Technology 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2622642
- Aktenzeichen
- EP11776615
- Anmeldetag
- 29. September 2011
- Veröffentlichung
- 7. August 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0336H01L31/072C23C16/40H01L31/0725
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- California Institute of Technology
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
California Institute of Technology
Private Forschungsuniversität in Pasadena, Kalifornien (USA), mit Schwerpunkt auf Naturwissenschaften und Ingenieurwesen. Sie betreibt unter anderem das Jet Propulsion Laboratory und zählt zu den weltweit führenden Technikhochschulen.
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Vertreten von
Raynor, John
London, Großbritannien
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