Halbleitervorrichtung mit unterschiedlichen nichtflüchtigen Speichern mit Nanokristallen unterschiedlicher Dichten, und Verfahren dafür
EP2624298
Art A1
7. August 2013
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2624298
- Aktenzeichen
- EP13151789
- Anmeldetag
- 18. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 7. August 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Fachgebiete
Vertreten von
Potts, Susan Patricia
Basingstoke, Großbritannien
180
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4
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