Verfahren zur Herstellung von Hochreinem Lanthan, Hochreines Lanthan, Sputtering-Target aus dem Hochreinen Lanthan sowie Metall-Gatefilm mit dem Hochreinen Lanthan als Hauptkomponente
EP2641982
Art B1
24. Juli 2019
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2641982
- Aktenzeichen
- EP11841845
- Anmeldetag
- 14. November 2011
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2019
- Erteilung
- 24. Juli 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C22B59/00C22B5/04C22B9/22C23C14/14C23C14/34C22C28/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
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Kanzlei
Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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