Dünnschicht auf PZT-Basis und Verfahren zur Herstellung dafür
EP2645439
Art A3
31. Dezember 2014
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2645439
- Aktenzeichen
- EP13160997
- Anmeldetag
- 26. März 2013
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L41/08H01L41/187H01L41/318H01G4/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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