Schwebegatespeicher-Bauelement mit Isolationsgraben und dessen Herstellung

EP2648220 Art B1 8. November 2017

Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2648220
Aktenzeichen
EP13175277
Anmeldetag
30. Juni 2006
Veröffentlichung
8. November 2017
Erteilung
8. November 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/11526H01L21/762H01L27/11536H01L27/11548
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Fujitsu Semiconductor Limited
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Fujitsu Semiconductor

Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.

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